RN4981FE,LF(CB
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | RN4981FE,LF(CB |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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4000+ | $0.0483 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | ES6 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Leistung - max | 100mW |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
Andere Namen | RN4981FE(TE85L,F) RN4981FE(TE85LF)TR RN4981FE(TE85LF)TR-ND RN4981FE,LF(CT RN4981FELF(CBTR RN4981FELF(CTTR RN4981FELF(CTTR-ND |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 16 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang | 250MHz, 200MHz |
detaillierte Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA |
RN4981FE,LF(CB Einzelheiten PDF [English] | RN4981FE,LF(CB PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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